Entegris GPU 35气体净化器：半导体工艺的超纯气体核心保障

GPU 35采用新一代纯化介质技术，将气体杂质去除至ppt（万亿分之一）级别，从根本上保障了工艺气体的超高纯度。其核心技术优势在于常温运行、无需外接电源或加热装置、可再生设计等特点，在大幅降低运营成本的同时显著延长了设备使用寿命，成为低流量精密工艺中不可或缺的关键组件。

核心技术

与传统气体净化器需要加热或通电才能运行不同，GPU 35利用专有的高选择性纯化介质，在环境温度下即可实现对水分、氧气、挥发性金属等多类杂质的深度吸附和捕获，全程无需外部能源输入。这一技术突破不仅消除了加热元件带来的安全风险和能耗成本，更意味着设备可在连续运行状态下长期保持稳定的净化性能，从根本上简化了安装和运维流程。

GPU 35的纯化介质针对不同气体类型提供了多样化选择——NX介质适用于氮气等惰性气体，FX、HX、CX等介质则分别对应腐蚀性气体、氢气等不同应用场景，使一台设备能够覆盖半导体工艺中多种关键气体的净化需求。同时，内置的Wafergard®出口颗粒过滤器可将残留颗粒物截留至0.0015 μm级别，实现“分子级净化+颗粒级过滤”的双重保障。

性能参数一览

GPU 35的核心优势总结：

① 常温纯化技术，零能耗运行，显著降低运营成本和维护复杂度；

② 出口杂质纯度低于1 ppbV，达到行业领先的超高纯水平；

③ 内置纳米级颗粒过滤器，同时解决分子杂质和颗粒污染双重问题；

④ 广泛的腐蚀性气体兼容能力，覆盖Cl₂、HBr、HCl等18种以上工艺气体；

⑤ 可再生设计有效延长使用寿命，减少废弃物产生，降低综合拥有成本；

⑥ 安装方向无限制，适应多种系统布局需求，集成灵活度高。

场景化应用

半导体干法蚀刻工艺

干法蚀刻是半导体制造中利用等离子体对晶圆表面进行选择性刻蚀的关键工序，使用的腐蚀性气体（如Cl₂、HBr、SF₆等）必须保持极高纯度。工艺气体中若存在微量水分或挥发性金属颗粒，将直接导致蚀刻速率不均、侧壁形貌异常，严重时甚至造成CMOS栅极堆栈结构失效。GPU 35专为腐蚀性气体纯化设计，其高级纯化介质可同步去除18种腐蚀性气体中的水分和金属杂质，配合内置过滤器，在气体进入蚀刻腔体前完成双重净化。对于1 slpm以内的低流量蚀刻工艺点，GPU 35能够以零能耗运行方式持续提供ppt级纯度的气体供应，有效降低因气体污染导致的晶圆缺陷率。

气相色谱仪/质谱仪分析系统

在气相色谱（GC）和质谱（MS）等精密分析仪器中，载气和辅助气的纯度直接决定了分析结果的准确性与重复性。即使是痕量级的水分或氧气残留，也可能导致色谱基线漂移、质谱背景噪声升高，甚至干扰待测组分的分离与检测。GPU 35峰值流量恰好匹配分析仪器对载气的流量需求，通过NX纯化介质将氮气等惰性载气中的H₂O、CO₂等杂质降至1 ppbV以下，确保分析基线稳定、峰形对称、检出限降低。同时，其常温运行、低压降的设计特点，使GPU 35可直接串联接入现有气路系统，无需额外配置电源或改造管路，极大简化了实验室设备的集成流程。

LED外延生长工艺

LED芯片制造中的外延生长工序对气体纯度有着近乎苛刻的要求。MOCVD（金属有机化学气相沉积）工艺使用的载气（如高纯氮气、氢气）若含有微量杂质，将直接影响外延层的晶体质量，导致发光效率下降、波长偏移等良率问题。GPU 35凭借常温纯化和可再生两大技术特点，为LED外延工艺中的低流量载气纯化提供了经济高效的解决方案——一方面，无需加热的运行模式消除了因温控波动带来的纯化性能不稳定性；另一方面，可再生能力使设备使用寿命大幅延长，降低了产线频繁更换净化器的停机成本和物料支出。对于追求成本控制和工艺一致性的LED制造商而言，GPU 35是实现气体纯化环节“低投入、高稳定”的理想选择。

总结

Entegris GPU 35气体净化器以常温纯化技术为核心，为低流量超高纯度气体应用场景提供了高可靠性的解决方案。该产品出口杂质纯度低于1 ppbV，颗粒过滤精度达0.0015 μm，兼容18种以上腐蚀性气体，且无需外部能源即可持续运行。在半导体干法蚀刻、精密分析仪器及LED外延生长等对气体纯度有严苛要求的领域中，GPU 35以低压降设计、可再生特性及灵活安装方式，有效降低了工艺污染风险与综合运营成本，是保障关键工艺稳定性的核心组件。